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TABLE 1A (cont'd): MOSFET/IGBT single device
Date Code
# Part Number or Voltage
Test # [V]
121 IXTP160N075T K0707 60
122 IXTP17N30T K648 240
123 IXTP18N60PM K631 480
124 IXTP1N100P K636 800
125 IXTP1R4N100P K636 800
126 IXTP1R4N120P K638 960
127 IXTP2R4N120P K636 960
128 IXTP32N20T K647 160
129 IXTP36N15T K648 120
130 IXTP36N25T K636 200
131 IXTP36N30T K641 240
132 IXTP44N25T K636 200
133 IXTP50N25T K738 200
134 IXTP56N15T K636 120
135 IXTP62N25T K648 200
136 IXTP74N15T K636 120
137 IXTP76N075T K640 60
138 IXTP76N075T K726 60
139 IXTP76N075T SS0728 60
140 IXTP8N50P K646 400
141 IXTP8N50P AK732 400
142 IXTP90N15T K647 120
143 IXTQ182N055T SK0612 44
144 IXTQ22N50P SS0633 400
145 IXTQ22N60P SK0539 480
146 IXTQ22N60P SK0604 480
147 IXTQ22N60P SK0609 480
148 IXTQ22N60P SK0608 480
149 IXTQ22N60P SK0608 480
150 IXTQ22N60P SK0609 480
151 IXTQ22N60P SK0609 480
152 IXTQ26N50P SK0604 400
153 IXTQ28N15P SK0653 120
154 IXTQ36P15P SK0652 120
155 IXTQ44N30T SK0629 240
156 IXTQ64N25P SK0535 200
157 IXTQ74N20P SK0515 160
158 IXTQ76N25T SK0613 200
159 IXTQ82N25T SK0603 200
160 IXTQ88N28T SK0545 224
161 IXTQ88N28T SK0641 224
162 IXTQ88N30P SK0605 240
163 IXTQ88N30T SK0638 240
164 IXTQ96N20P SS0631 160
165 IXTQ96N25T SK0648 200
166 IXTT88N30P SP0626 240
167 IXTV18N60PS SP0636 480
168 IXTV230N085TS SP0629 68
169 IXUC200N055 1594 44
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IXYS Semiconductor GmbH
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IXTQ30N50L 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60L2 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N20T 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N30P 功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N50P 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube